- 本次技術突破有力推動了 SOT-MRAM 技術的發展及產業化進程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召開的「第一屆自旋芯片與技術研討會」上，自旋芯片與技術全國重點實驗室發布了全球首款單片容量達到 4 Mb 的全功能第三代 MRAM 芯片——SOT-MRAM 芯片，這也是全球第一款 Mb 容量的垂直磁化 SOT-MRAM 芯片。磁隨機存取存儲器（MRAM）是一種基于磁電阻效應的新型非易失性存儲器，其最大特點是能同時兼具高速、低功耗、抗輻射、近乎無限的可重寫次數、掉電信息不丟失等優勢，
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SOT-MRAM
- MRAM全球創新論壇是行業內磁阻隨機存取存儲器（MRAM）技術的頂級平臺，匯聚了來自業界和學術界的頂尖磁學專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點在舊金山聯合廣場希爾頓酒店帝國宴會廳A/B舉行。2025年MRAM技術項目包括12場由全球頂尖MRAM專家邀請的演講，以及一個晚間小組討論。這些項目將聚焦于技術開發、產品開發、工具開發及其他探索性話題。MRAM技術是一種非
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MRAM 存儲技術創新 2025 創新論壇
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產品。全新MCU產品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），以7300 CoreMark的原始計算性能刷新行業基準，實現業界卓越的計算效能。可選配的Cortex?-M33處理器有助于實現高效的系統分區和任務隔離。RA8M2與RA8D2同屬RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2為通用型產品，RA8D2 MCU則集成多種高端圖形外設。它們與瑞薩今
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瑞薩 MCU MRAM
- 據印度報業托拉斯報道，為大力推動電動汽車（EV）電池制造發展，特斯拉集團與SRAM & MRAM集團日前達成一項價值10億美元的里程碑式合作協議。此次合作不僅計劃在印度建設5座先進的電動汽車電池超級工廠，還將在包括美國、馬來西亞、阿曼、巴西、阿聯酋（UAE）和柬埔寨等另外15個國家部署生產網絡。SRAM & MRAM集團董事長Sailesh L Hiranandani強調了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規模最大的電動汽車電池制造與儲能供應鏈之一。這一舉措體現了各方對可持續能源解
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特斯拉 SRAM & MRAM 電動汽車電池 超級工廠
- SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。
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SRAM
- TSMC 將在歐洲建立其第一個設計中心，并正在尋求汽車應用內存技術的重大飛躍。歐盟設計中心 （EUDC） 將設在慕尼黑，預計將專注于汽車，但也將支持工業應用、人工智能 （AI）、電信和物聯網 （IoT） 的芯片設計。考慮到這一點，臺積電已對其 28nm 電阻式 RRAM 存儲器進行了汽車應用認證，預計 12nm 版本將滿足同樣嚴格的汽車質量要求，并計劃推出 6nm 版本。它還計劃推出 5nm MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術上閃存的關鍵替代品。臺積電的 22
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臺積電 5納米 MRAM
- 在可編程邏輯器件領域，基于SRAM的FPGA經常被誤解。這些FPGA具有極高的靈活性和可重新配置特性，是從消費電子到航空航天等各類應用的理想選擇。此外，基于SRAM的FPGA還能帶來高性能和低延遲，非常適合實時數據處理和高速通信等要求苛刻的任務。一個常見的誤解是，基于SRAM的FPGA會因啟動時間較長而不堪負荷。通常的說法是，由于其配置數據存儲在片外，特別是在加密和需要驗證的情況下，將這些信息加載到FPGA的過程就成了瓶頸。然而，對于許多基于SRAM的現代FPGA來說，這種觀點并不成立，萊迪思Avant?
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- 上周在 IEEE 國際固態電路會議 （ISSCC） 上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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- 在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
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- 英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A
工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA)
晶體管相結合，是英特爾節點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現了從英特爾 3 的
0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了
0.77 和
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- 不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。
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- 大阪大學的研究人員介紹了一項創新技術，可以降低現代存儲設備的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產品。Everspin旗下PERSYST產品線中的一款256Kb串行MRAM產品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
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